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Título: Caracterización estructural y óptica de compósitos ZnO-SiOx obtenidos por la técnica Cat-CVD
Palabras clave: Compósitos
ZnO-SiOx
Cat-CVD
Fotoluminiscencia
XRD
Fecha de publicación: 31-Jul-2012
Editorial: Superficies y vacío
Descripción: Se obtuvieron compósitos de óxido de Zinc-óxido de Silicio fuera de estequiometría (ZnO-SiOx) por la técnica de depósito químico en fase vapor catalítico (Cat-CVD) a una temperatura de depósito de 950 0C. Los experimentos se llevaron a cabo en el rango de 800-1100 0C. Del análisis por difracción de rayos-X (XRD) y espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR), se encontró que a 800 0C se obtiene la fase de ZnO pura. Se observó que con el incremento de la temperatura de depósito, la estructura del material comienza a ser dominada por el SiOx hasta que solo se obtiene esta fase a 1100 0C. Sin embargo, se encontró que a 950 0C se obtiene el compósito de ZnO-SiOx. El cambio gradual de fase se asoció a la re-evaporación de Zinc (Zn) y al incremento en la movilidad superficial de los átomos de silicio (Si) al aumentar la temperatura. Los espectros de fotoluminiscencia (FL) muestran dos bandas de emisión: una desde 450 hasta 700 nm, y otra banda amplia de 600 a 1100 nm aproximadamente. Estas emisiones son relacionadas generalmente con transiciones radiativas debidas a la presencia de vacancias de oxígeno (Vo) en el ZnO y nanocristales de Si en el SiOx.
Other Identifiers: http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212011000300001
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