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Título: Propiedades ópticas, de composición y morfológicas de películas delgadas de SiOx depositadas por HFCVD
Palabras clave: SiOx
AFM
FTIR
PL
Si-nc
Fecha de publicación: 31-Jul-2012
Editorial: Superficies y vacío
Descripción: En el presente trabajo se estudian las propiedades morfológicas, de composición y ópticas de películas de óxido de silicio fuera de estequiometría (SiOx) mediante Microscopía de Fuerza Atómica (AFM), Espectroscopia Infrarroja por Transformada de Fourier (FTIR), Fotoluminiscencia (FL), Transmitancia UV-Vis y Elipsometría nula. Dichas películas se obtuvieron mediante la técnica de depósito químico en fase vapor activado por un filamento caliente (HFCVD) en un rango de temperaturas de 750 a 1005 °C. Los espectros de FL de las películas de SiOx depositadas sobre cuarzo a 813, 873 y 950 °C presentan corrimientos entre 650 nm y 712 nm, conforme la temperatura de substrato (Ts) se incrementa. De estos resultados se propone que la FL es originada por efectos de confinamiento cuántico en nanocristales de silicio (nc-Si) embebidos en la matriz del óxido de silicio, ya que estos nc-Si disminuyen su tamaño conforme se reduce la Ts y producen un corrimiento hacia mayores energías en los espectros de FL. Mediante el estudio de los espectros de transmitancia se obtuvo la brecha de energía prohibida (Eg) y, a través del modelo de masa efectiva de confinamiento cuántico, se determinó el tamaño promedio de nc-Si, el cual oscila entre 3.5 y 2.2 nm. También se observan efectos relacionados con defectos en el comportamiento de los espectros de FL de las películas depositadas sobre cuarzo y silicio.
Other Identifiers: http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212011000200004
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