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Título: Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso
Palabras clave: Películas de silicio poroso (PSiP)
Características eléctricas
Mecanismo de transporte SCL
Fecha de publicación: 31-Jul-2012
Editorial: Superficies y vacío
Descripción: Se identificaron los mecanismos de transporte en películas-de-silicio-poroso (PSiP) por mediciones de Corriente-Voltaje. Las PSiP se hicieron por anodización de obleas de silicio cristalino tipo p, con orientación (100) y resistividad de 1-5 Ωcm. La resistividad eléctrica medida en las PSiP fue de 4.48 x 10(9) Ω-cm. El transporte de carga en la PSiP está limitado por regiones de carga espacial (SCL), debido a la carga atrapada en los diversos estados de defecto. Se encontró que de acuerdo al modo de polarización y a la magnitud del potencial aplicado a la estructura planar, se induce la participación de centros de defecto profundos ocasionando que la densidad de trampas Nt, cambie.
Other Identifiers: http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212011000100002
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