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Título: Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C
Palabras clave: SOG-SIO2
Dieléctico de compuerta
Transistores de película delgada
Porcesos a baja temperatura
Fecha de publicación: 31-Jul-2012
Editorial: Superficies y vacío
Descripción: En este trabajo, se ha realizado la caracterización del oxido de silicio SOG (SOG-SiO2) depositado por la técnica sol-gel y recocido a 200 °C. Los resultados de la caracterización óptica y eléctrica muestran que los valores del índice de refracción (n) y de la constante dieléctrica (k) son muy cercanos a aquellos valores comúnmente reportados para el SiO2 crecido térmicamente. Nuestros resultados sugieren que el SOG-SiO2 recocido a 200 °C puede ser una alternativa para mejorar las características eléctricas de los transistores de película delgada (TFTs), entre otros dispositivos que son fabricados a bajas temperaturas.
Other Identifiers: http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212011000100001
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