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Título: A 540µT-1 silicon-based MAGFET
Palabras clave: Semiconductor devices
field effect devices
Fecha de publicación: 31-Jul-2012
Editorial: Revista mexicana de física
Descripción: This paper describes an MOS transistor-based transducer used for measuring magnetic fields. The setup, the electric/magnetic characterization, and an equivalent circuit for transistor level simulations are presented. The sensor (also called MAGFET), designed in a 1.5 µm CMOS process, presents a relative magnetic sensitivity Sr=540/µT-1 at room temperature.
Other Identifiers: http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0035-001X2007000300012
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